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產品名稱：PL50-LM2、PAL50-LM2 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-J、PAL50-J 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-H、PAL50-H 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-G、PAL50-G 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-F、PAL50-F 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-E、PAL50-E 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-B、PAL50-B 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-A、PAL50-A 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：R160-2S 3S 3C 所屬分類：測試探針 鉆孔尺寸有：1.70mm 產品簡介：R160焊線式套管，針套外徑為1.67mm，P160探針針套 訂購熱線：400-183-6682 產品介紹（產品概述）： 針管：磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 針桿：磷銅鍍鎳或鈹銅 鉆孔尺寸：1.70mm 接觸彈力：140g 鉆孔尺寸：1.70mm
產品名稱：R160-1W、2W、3W 所屬分類：測試探針 探針鉆孔尺寸有：1.70mm 產品簡介：P160探針、1.36mm測試針、總長24.50mm、彈簧針、測試針、頂針、探針 訂購熱線：400-183-6682 產品介紹（產品概述）： 針管：磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 針桿：磷銅鍍鎳或鈹銅 鉆孔尺寸：1.70mm 接觸彈力：140g
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探針測試行業發展趨勢（1）設備將向高精度化方向發展現階段半導體器件主要通過提高集成度的方式實現更多功能或更快響應。為此，半導體制造過程一般會縮小器件特征尺寸，如高端邏輯芯片的電路制程線寬已由微米級別縮小至納米級別，最小已達3納米；在光電芯片中，最小的Micro LED尺寸也已經縮小至50μm以下。此外，為避免器件集成度提高后單位制造成本過度上漲，業界一般使用更大尺寸的晶圓，通過在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區域使用率的方法降低單位制造成本，目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸，逐步發展到8英寸和12英寸。
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